半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置

產(chǎn)品名稱: 半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置

產(chǎn)品型號(hào): SiWOF-2000

產(chǎn)品特點(diǎn): 半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置
日本 STLab SiWOF-2000 是一臺(tái)面向“7×24 小時(shí)連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)"而設(shè)計(jì)的無(wú)氧氣體（N?/Ar/He 等）深度除水凈化裝置。把入口 3-10 ppm H?O 的普氮/普氬一口氣降到**< 1 ppb**（露點(diǎn) <-110 °C），并且能連續(xù)運(yùn)行 2 000 h 以上才需再生，主要用于半導(dǎo)體、OLED、鈣鈦礦電池、核聚變實(shí)驗(yàn)等對(duì)水分極度敏感的工藝

半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置 的詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體 ALD/ALE應(yīng)用深度除水凈化裝置

日本 STLab SiWOF-2000 是一臺(tái)面向“7×24 小時(shí)連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)"而設(shè)計(jì)的無(wú)氧氣體（N?/Ar/He 等）深度除水凈化裝置。把入口 3-10 ppm H?O 的普氮/普氬一口氣降到**< 1 ppb**（露點(diǎn) <-110 °C），并且能連續(xù)運(yùn)行 2 000 h 以上才需再生，主要用于半導(dǎo)體、OLED、鈣鈦礦電池、核聚變實(shí)驗(yàn)等對(duì)水分極度敏感的工藝線。

? 核心賣點(diǎn)

長(zhǎng)期免維護(hù)——連續(xù)除水 2 000 h（實(shí)際考核 2 500 h）后 H?O 出口才升到 10 ppb，停機(jī)再生一次只需 8 h
< 1 ppb 出口保證——新填料初始值 ≤ 0.5 ppb，客戶可任選 1 ppb 報(bào)警點(diǎn)
真正無(wú)氧——整個(gè)流路 316L EP + VCR 金屬密封，無(wú)橡膠管，O? 增量 < 0.1 ppb
雙塔 Hot-Swap——一塔工作一塔待機(jī)，切換過(guò)程出口水分波動(dòng) < 5 ppb
在線再生——無(wú)需拆罐，閉環(huán)抽真空 + 加熱吹掃，現(xiàn)場(chǎng) 8 h 完成
數(shù)據(jù)完整——內(nèi)置 32 GB 記錄，Modbus/以太網(wǎng)實(shí)時(shí)輸出，滿足 SEMI S2 審計(jì)

?? 性能參數(shù)（SiWOF-2000 標(biāo)準(zhǔn)型）

表格

復(fù)制

項(xiàng)目	參數(shù)
處理氣體	N?、Ar、He、混合稀有氣體（無(wú)氧）
流量范圍	30-2 000 mL/min（1.8-120 L/h）
入口水分	≤ 10 ppm（露點(diǎn) -60 °C）
出口水分	≤ 1 ppb（露點(diǎn) <-110 °C）
出口氧分	增加 < 0.1 ppb（實(shí)測(cè) 0.03 ppb）
連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)	≥ 2 000 h（10 ppb 突破為再生信號(hào)）
再生耗時(shí)	8 h（200 °C 真空抽掃 + 高純 N? 冷卻）
吸附劑	Si-Al 復(fù)合分子篩 + 金屬催化劑
管路材質(zhì)	316L EP，Ra ≤ 0.25 µm，VCR 金屬墊片
泄漏率	He ≤ 1×10?11 Pa·m3/s
壓力損失	0.05-0.15 MPa（與流量相關(guān)）
電源	AC 100-240 V 300 W（再生時(shí) 600 W）
尺寸/重量	430 × 450 × 220 mm（4U 機(jī)架）≈28 kg
通信	RS-485（Modbus RTU）+ 以太網(wǎng)（TCP/HTTP）
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)	32 GB SD 卡，CSV 格式，≥ 5 年
報(bào)警	出口 H?O > 1 ppb、溫度異常、壓力異常繼電器輸出

?? 雙塔工作流程

A 塔工作——B 塔待機(jī)加熱抽空（前 6 h）→ 高純 N? 冷卻（后 2 h）
自動(dòng)切換——當(dāng) A 塔出口 H?O = 10 ppb，PLC 0.1 s 切到 B 塔，出口波動(dòng) < 5 ppb
循環(huán)使用——單塔壽命 2 000 h，兩塔交替實(shí)現(xiàn)理論無(wú)限連續(xù)

?? 典型應(yīng)用

半導(dǎo)體 ALD/ALE： gate 氧化物界面 H?O < 1 ppb，降低 VT 漂移
OLED 蒸鍍：防止有機(jī)層水解，提高發(fā)光效率 8 %
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池：涂布前 N? 凈化，效率重復(fù)性 ↑ 15 %
核聚變裝置：托卡馬克吹掃氣 Ar 深度除水，降低等離子體雜質(zhì)
手套箱循環(huán)：與循環(huán)泵聯(lián)動(dòng)，箱內(nèi) H?O 穩(wěn)定 < 0.1 ppm

?? 可選型號(hào)

表格

復(fù)制

型號(hào)	流量范圍	出口水分	接口
SiWOF-500	5-500 mL/min	≤ 1 ppb	1/4" VCR
SiWOF-2000	30-2 000 mL/min	≤ 1 ppb	1/4" VCR
SiWOF-5000	0.2-5 L/min	≤ 3 ppb	3/8" VCR
SiWOF-Multi	雙通道獨(dú)立，可同時(shí)供兩臺(tái)設(shè)備

??? 維護(hù)與驗(yàn)證

在線露點(diǎn)儀：內(nèi)置 TDLAS 傳感器，0.1 ppb 分辨率，可外接第二方冷鏡儀比對(duì)
再生無(wú)需人工：PLC 自動(dòng)抽真空→升溫→吹掃→冷卻，一鍵啟動(dòng)
年度備件：僅需更換再生排氣過(guò)濾器（PTFE，0.1 µm），5 分鐘完成
審計(jì)文件：提供 SPC 趨勢(shì)、再生記錄、粒子增量報(bào)告，符合 SEMI F57 & Gaseous Standards

? 一句話總結(jié)

STLab SiWOF-2000 是“長(zhǎng)期不斷電"的**< 1 ppb 除水站**：2 000 h 連續(xù)運(yùn)行、8 h 在線再生、雙塔零波動(dòng)，為半導(dǎo)體/OLED/核聚變等無(wú)氧超干工藝提供水分 < 1 ppb、氧增量 < 0.1 ppb的7×24 凈化氮/氬，是日本本土 7 nm 廠、EUV 實(shí)驗(yàn)室的標(biāo)準(zhǔn)超干氣源后端。

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